新的计算存储器是由该团队通过战略性地拉伸像单层原子一样薄的材料而创造的。
在发表在《自然电子》杂志上的研究中，“垂直二碲化钼相变忆阻器的应变工程”，研究人员概述了他们的混合电阻开关。
由电子与计算机工程和物理学助理教授Stephen M Wu开发的新方法结合了两种用于记忆的现有形式的电阻开关的最佳品质-记忆电阻器和相变材料。
人们已经探索了它们比最流行的计算存储器形式(如动态随机存取存储器和闪存)的优势。
然而，这两种电阻开关都有缺点。
忆阻器的工作原理是在两个电极之间的细灯丝上施加电压。与其他形式的计算内存相比，它们相对缺乏可靠性。
另一方面，相变材料涉及选择性地将材料熔化成非晶态或结晶态。这些需要太多的能量。
Wu说:“我们已经将忆阻器和相变器件的想法结合起来，以一种超越两者局限性的方式。
“我们正在制造一种双端忆阻器装置，它可以将一种类型的晶体驱动到另一种类型的晶体相位。这两种晶体相具有不同的电阻，你可以将其作为记忆。”
该团队使用了二维材料，这种材料可以拉伸到两种不同晶体相之间。在这一点上，他们可以用很少的力量推动任何一个方向。
吴说:“我们设计的方法基本上是在一个方向上拉伸材料，在另一个方向上压缩材料。”
“通过这样做，你可以将性能提高几个数量级。我看到了一条路，它最终会作为一种超快、超高效的存储器出现在家用电脑上。这可能会对整个计算机行业产生重大影响。”
该团队与罗切斯特机械工程系的研究人员合作，包括助理教授Hesam Askari和Sobhit Singh，以了解在何处以及如何拉伸材料。
吴认为，制造新型计算存储器的最大障碍是提高整体可靠性。
然而，该团队对迄今取得的进展感到鼓舞。
